半個月漲價50%，原廠停產(chǎn)，DRAM提前開啟漲價行情，產(chǎn)業(yè)鏈上這幾家公司迎來新機(jī)遇
2025-05-26 08:06
作者：SYSTEM
來源：早知道/脫水研報
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由于三大原廠逐步減產(chǎn)，DDR4產(chǎn)能快速收縮，部分現(xiàn)貨DDR4顆粒近半月以來價格漲幅已超50%。隨著原廠逐步將低制程的DDR4產(chǎn)能逐步轉(zhuǎn)向DDR5，DDR5滲透率有望快速提升，內(nèi)存模組產(chǎn)業(yè)鏈有望受益。
1）受減產(chǎn)影響，DRAM指數(shù)已于2025年3月觸底
三大原廠降低舊制程的產(chǎn)能趨勢不變。由于三星、海力士等供應(yīng)商均逐步停產(chǎn)DDR4，導(dǎo)致供給快速收縮，客戶提高備貨力度以對沖漲價壓力，下半年價格或出現(xiàn)逐季上漲。
根據(jù)CFM，2025年5月20日DRAM指數(shù)為568.27，同比下滑9.29%，價格較去年同期仍有較大回調(diào)。年初至今，DRAM指數(shù)漲幅為9.48%，近一周度漲幅為6.61%。
2）部分DDR4現(xiàn)貨漲幅較大，漲價效應(yīng)傳導(dǎo)至內(nèi)存條端
受部分原廠停產(chǎn)DDR4影響，部分現(xiàn)貨DDR4顆粒近半月以來價格漲幅已超50%，漲價效應(yīng)持續(xù)傳導(dǎo)至內(nèi)存條端。
根據(jù)CFM數(shù)據(jù)，DDR4 4Gb eTT/DDR4 8Gb 3200本周（5月20日）報價為0.70/2.00美元，周度漲幅為27.27%/25%。
DDR4 SODIMM 4GB/8GB/16GB本周報價11/18/30美元，周度漲幅達(dá)到10%/12.5%/11.11%；
服務(wù)器DDR4 RDIMM 16/32/64GB本周報價55/90/180美元，周度漲幅分別為10%/12.5%/16.13%。
3）內(nèi)存模組有望受益DDR5滲透加速
隨著原廠逐步將低制程的DDR4產(chǎn)能逐步轉(zhuǎn)向DDR5，DDR5滲透率有望快速提升，內(nèi)存模組產(chǎn)業(yè)鏈有望受益。
內(nèi)存接口芯片是內(nèi)存模組的核心邏輯器件，作為CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路，其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，滿足CPU對內(nèi)存模組日益增長的高性能及大容量需求。
對比DDR4內(nèi)存模組，DDR5內(nèi)存模組上除了內(nèi)存顆粒及內(nèi)存接口芯片外，還需要三種配套芯片，分別是串行檢測集線器（SPD）、溫度傳感器（TS）以及電源管理芯片（PMIC)。
4）關(guān)注DRAM加速迭代的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
國內(nèi)外原廠相繼停產(chǎn)DDR4產(chǎn)品，有望改善利基型DDR4供給格局及加速DDR5產(chǎn)品的滲透，對利基DDR4國產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)鏈、DDR5產(chǎn)業(yè)鏈帶來發(fā)展機(jī)遇。關(guān)注：
DDR4芯片：兆易創(chuàng)新；
DDR5產(chǎn)業(yè)鏈：瀾起科技等。
此外，全球AI大模型不斷迭代升級，AI應(yīng)用快速發(fā)展，算力需求帶動HBM需求同步增長，關(guān)注HBM產(chǎn)業(yè)鏈。
相關(guān)標(biāo)的：中微公司、北方華創(chuàng)等。
研報來源：國聯(lián)民生證券，郇正林，S0590524110001，原廠或停產(chǎn)DDR4，DRAM提前漲價。2025年5月25日
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