數(shù)據(jù)中心：牽手英偉達(dá)后股價(jià)暴漲200%，HVDC或徹底改變數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)，這些材料也有望受益
2025-05-22 09:03
作者：SYSTEM
來源：早知道/脫水研報(bào)
當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月21日，納微半導(dǎo)體公司宣布與英偉達(dá)合作開發(fā)下一代800V高壓直流(HVDC)架構(gòu)，為包括Rubin Ultra在內(nèi)的GPU提供支持的"Kyber"機(jī)架級(jí)系統(tǒng)供電。納微的氮化鎵和碳化硅技術(shù)將在這一合作中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
美股盤后，納微股價(jià)一度暴漲200%。
點(diǎn)評(píng)：當(dāng)前的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)使用傳統(tǒng)的54V機(jī)架內(nèi)配電系統(tǒng)，功率限制在幾百千瓦(kW)。當(dāng)功率增加到200kW以上時(shí)，這種架構(gòu)因功率密度、銅材需求和系統(tǒng)效率降低等問題而達(dá)到物理極限。而納微的技術(shù)將一定程度上大幅提升能效并降低銅材使用量。
興業(yè)證券指出，數(shù)據(jù)中心HVDC具有高效率、高可靠性、易維護(hù)性、易擴(kuò)容性以及低成本性等優(yōu)勢(shì)。國內(nèi)方面，HVDC在頭部互聯(lián)網(wǎng)廠商自建數(shù)據(jù)中心中的滲透率較高。目前頭部廠商中，百度、騰訊、阿里等均已引入了HVDC電源。其中，從騰訊數(shù)據(jù)來看，截至2023年10月已部署電源系統(tǒng)中，HVDC占比約94%。
另外，材料方面，國金證券表示，傳統(tǒng)服務(wù)器鉑金電源依賴Si MOSFET器件，受限于材料物理特性，存在高頻開關(guān)損耗與發(fā)熱等問題。與之相比，GaN（氮化鎵）材料優(yōu)勢(shì)明顯，其電子遷移率是Si的10倍，可支持MHz級(jí)高頻開關(guān)，能使動(dòng)態(tài)損耗降低70% ；相同功率下?lián)碛谐蛯?dǎo)通電阻（僅為硅基器件的1/5），可讓發(fā)熱量減少50%；擊穿電場強(qiáng)度達(dá)3.3MV/cm，憑借出色的耐高壓耐高溫特性，支持高壓直連架構(gòu)，能夠消除多級(jí)轉(zhuǎn)換損耗。
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研報(bào)來源：
興業(yè)證券，王帥，S0190521110001，需求保持高景氣，關(guān)注技術(shù)迭代增量需求 。2025年5月21日
國金證券，樊志遠(yuǎn)，S1130518070003，聚焦氮化鎵的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)。2025年5月8日
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