氮化鎵：淡出氮化鎵市場，臺積電擬進一步聚焦先進封裝，這一市場或?qū)崿F(xiàn)十年二十倍擴容
2025-07-02 16:21
作者：SYSTEM
來源：早知道/脫水研報
據(jù)界面新聞7月2日消息，臺積電為專注在高成長市場，近期已陸續(xù)縮減在成熟制程的資源，并有意淡出氮化鎵（GaN）市場，GaN產(chǎn)品所在的晶圓五廠僅供應(yīng)至2027年7月1日，之后將改做先進封裝使用。
點評：國海證券指出，由于高端消費電子、人工智能、數(shù)據(jù)中心等快速發(fā)展的應(yīng)用領(lǐng)域大量依賴先進封裝，未來，先進封裝增速預(yù)計將明顯快于傳統(tǒng)封裝。
據(jù)Yole，全球先進封裝市場規(guī)模預(yù)計2028年達到786億美元，2022-2028年年復(fù)合增長率為10.6%，遠高于傳統(tǒng)封裝的3.2%，并將于2025年，首次超越傳統(tǒng)封裝，預(yù)計在全球封測市場占比達51%。
據(jù)TechInsights數(shù)據(jù)，2024年全球先進封裝設(shè)備市場規(guī)模達31億美元，創(chuàng)歷史新高。隨著先進封裝裝備技術(shù)快速升級，前道工藝后移，推動刻蝕、薄膜沉積、電鍍等設(shè)備需求快速增加。國內(nèi)設(shè)備廠商依托本土產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，在細分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。
另據(jù)華創(chuàng)證券，氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借高頻操作、高電子遷移率、強輻射抗性、低導(dǎo)通電阻及無反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢，得以有效降低能量損耗，提高能源轉(zhuǎn)換效率，減少系統(tǒng)成本和器件尺寸，成為功率半導(dǎo)體行業(yè)變革的關(guān)鍵力量。
弗若斯特沙利文預(yù)測，2024-2028年GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模年復(fù)合增速將達98%，2028年全球規(guī)?；蛲黄?00億元，占功率半導(dǎo)體份額躍升至10.1%，十年內(nèi)市場實現(xiàn)超二十倍擴容。
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研報來源：
國海證券，李永磊，S0350521080004。先進封裝材料有望迎來大發(fā)展。2025年4月23日。
華創(chuàng)證券，耿琛，S0360517100004。英諾賽科：氮化鎵功率半導(dǎo)體龍頭，引領(lǐng)三代半能源革命新風(fēng)向。2025年5月30日。
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